1
/
of
1
Техносфера
Твердотельная электроника изд.3 доп. Учебное пособие_VII*37
Твердотельная электроника изд.3 доп. Учебное пособие_VII*37
Regular price
$29.15 CAD
Regular price
Sale price
$29.15 CAD
Unit price
/
per
Couldn't load pickup availability
Product details
- Authors :
- Binding : Hardcover
- Coverage : 1500
- Ean : 9785948361871
- Format : 70x100/16
- Handling Time : 20 days
- Isbn : 978-5-94836-187-1
- Language :
- Pages : 512
- Publication Year : 2008
- Publisher :
- Series : Учебное пособие.
Handling time: 20 days В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно рассмотрены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, InP. Рассмотрен квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники, характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах.В третьем издании добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких...В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно рассмотрены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, InP. Рассмотрен квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники, характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах.В третьем издании добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах.Учебное пособие рассчитано на широкий спектр направлений обучения студентов классических и технических университетов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники. Оно может быть полезно аспирантам и научным сотрудникам, инженерам-разработчикам.3-е издание, дополненное.
#ASTTD# Search Terms: Гуртов Валерий Алексеевич , Gyrtov Valerii Alekseevich , Техносфера , Tehnosfera , Русский , Rysskii , Учебное пособие. , Ychebnoe posobie. , 9785948361871 , 978-5-94836-187-1 , 850884
#ASTTD# Search Terms: Гуртов Валерий Алексеевич , Gyrtov Valerii Alekseevich , Техносфера , Tehnosfera , Русский , Rysskii , Учебное пособие. , Ychebnoe posobie. , 9785948361871 , 978-5-94836-187-1 , 850884
Share
No reviews


Isbn:
978-5-94836-187-1
Ean:
9785948361871
HandlingTime:
20 days
Publisher:
Техносфера
Binding:
Hardcover
Pages:
512
1
/
of
2
Ordered
Jul 24
Order Ready
Aug 13
Delivered
Aug 15 - Aug 21