Электронные свойства дислокаций в полупроводниках

Handling time: 30 days Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокаций в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях A2B6. Книга выполнена в виде нескольких обзорных статей, написанных академиком Ю.А.Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокаций в полупроводниках. В книге проведено систематическое изложение современных данных по влиянию дислокаций на электронный энергетический спектр, электрические и оптические характеристики полупроводников. Подробно рассмотрено взаимодействие дислокаций с другими дефектами и примесями. Книга предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся в области физики твердого тела, а также для преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.

#ASTTD# Search Terms: В. Тимофеев,С. Шевченко,Юрий Осипьян,С. Бредихин,В. Кведер,Н. Классен,В. Негрий,Виктор Петренко,И. Смирнова,С. Шмурак,Э. Штейнман , V. Timofeev,S. Shevchenko,Urii Osipyan,S. Bredihin,V. Kveder,N. Klassen,V. Negrii,Viktor Petrenko,I. Smirnova,S. Shmyrak,E. Shteinman , Едиториал УРСС (URSS) , Editorial YRSS (URSS) , Русский , Rysskii , 9785836000684 , 978-5-8360-0068-4 , 342191